A239-427.5M1,安克AEK晶振,俄羅斯晶振,5050晶振,SAW濾波器,貼片晶振,石英諧振器
頻率:427.5MHz
尺寸:5.0mm x 5.0mm
A239-427.5M1,安克AEK晶振,俄羅斯晶振,5050晶振,SAW濾波器,貼片晶振,石英諧振器 AEK(成立于 1991 年 3 月)生產(chǎn)和銷售用于無(wú)線電通信、導(dǎo)航、汽車和其他設(shè)備的電子元件。企業(yè)的主要產(chǎn)品是諧振器、窄帶和寬帶濾波器。AEK 擁有自己的生產(chǎn)基地,提供完整的生產(chǎn)周期。我們的技術(shù)包括科學(xué)密集型工藝,例如具有納米技術(shù)精度的薄膜沉積、投影亞微米光刻、激光加工等。使用世界領(lǐng)先制造商的測(cè)量設(shè)備對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行 100% 的質(zhì)量控制。俄羅斯晶振,AEK晶振,安克晶振,型號(hào):A239系列,編碼為:A239-427.5M1,頻率為:427.5MHz,小體積晶振尺寸:5.0x5.0mm,8墊腳貼片晶振,SAW濾波器,無(wú)源晶振,石英晶振,石英晶體諧振器,SMD晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振,具有超小型,輕薄型,高性能,高品質(zhì),高質(zhì)量等特點(diǎn)。
A239-427.5M1,安克AEK晶振,俄羅斯晶振,5050晶振,SAW濾波器,貼片晶振,石英諧振器
AEK(成立于 1991 年 3 月)生產(chǎn)和銷售用于無(wú)線電通信、導(dǎo)航、汽車和其他設(shè)備的電子元件。企業(yè)的主要產(chǎn)品是諧振器、窄帶和寬帶濾波器。AEK 擁有自己的生產(chǎn)基地,提供完整的生產(chǎn)周期。我們的技術(shù)包括科學(xué)密集型工藝,例如具有納米技術(shù)精度的薄膜沉積、投影亞微米光刻、激光加工等。使用世界領(lǐng)先制造商的測(cè)量設(shè)備對(duì)產(chǎn)品進(jìn)行 100% 的質(zhì)量控制。俄羅斯晶振,AEK晶振,安克晶振,型號(hào):A239系列,編碼為:A239-427.5M1,頻率為:427.5MHz,小體積晶振尺寸:5.0x5.0mm,8墊腳貼片晶振,SAW濾波器,無(wú)源晶振,石英貼片晶振,石英晶體諧振器,SMD晶振,無(wú)鉛環(huán)保晶振,具有超小型,輕薄型,高性能,高品質(zhì),高質(zhì)量等特點(diǎn)。
選擇性是無(wú)線電接收器的選擇性,無(wú)線電接收器的選擇性,無(wú)線電接收器區(qū)分有用無(wú)線電信號(hào)與各種來(lái)源的無(wú)關(guān)(干擾無(wú)線電接收)電磁振蕩并區(qū)分它的能力;無(wú)線電接收器的一個(gè)參數(shù),用于定量描述這種能力。無(wú)線電信號(hào)的提取是使用它獨(dú)有的各種特征進(jìn)行的,根據(jù)這些特征區(qū)分頻率、幅度、相位、時(shí)間和其他類型的選擇性。頻率選擇性是最常見(jiàn)的,因?yàn)槿斯o(wú)線電信號(hào)源是在無(wú)線電波范圍的分配(根據(jù)無(wú)線電通信規(guī)定)部分中為某些(不同的)工作無(wú)線電頻率(通常稱為載波頻率)創(chuàng)建的。無(wú)線電接收器的選擇性是通過(guò)來(lái)自外部源(例如無(wú)線電臺(tái))的信號(hào)的相對(duì)強(qiáng)度來(lái)估計(jì)的,在該源上,該信號(hào)可能會(huì)對(duì)所選微弱信號(hào)的接收產(chǎn)生明顯的干擾影響。通常,無(wú)線電接收器在相鄰信道中的選擇性(在最接近載波頻率的信道中受干擾影響的選擇性)以及接收側(cè)信道中的選擇性(在超外差無(wú)線電接收器中 - 沿鏡像信道和頻率等于中頻的信道),這通常證明不夠高,這會(huì)導(dǎo)致無(wú)線電信號(hào)因干擾而明顯失真。
A239-427.5M1,安克AEK晶振,俄羅斯晶振,5050晶振,SAW濾波器,貼片晶振,石英諧振器
| Parameter | Unit | Minimum | Typical | Maximum |
| Central frequency | MHz | 427 | 427.5 | 428 |
| Insertion loss | dB | 1.8 | 2 | 2.3 |
| Bandwidth at -1.2 дБ | MHz | 6 | 6.5 | 7 |
| Bandwidth at -25 дБ | MHz | 13.5 | 14 | 14.5 |
| Amplitude ripple | dB | - | 1.5 | 2 |
| Group Delay Ripple | ns | - | - | - |
| Ultimate rejection | dB | - | 50 | - |
| Operating temperature | °C | -55 | 22 | 85 |
| Substrate | - | - | Lithium niobate 36 | - |
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